原子炉材料から半導体デバイスまで、
材料中の"乱れ"を世界最先端のナノメートル解析技術を駆使して分析
中性子照射による原子炉材料の劣化予測、新しい半導体デバイス開発、自動車軽量化のための高強度材料開発・・・。これらは全く別物に見えますが、ナノスケールの材料の“乱れ”を解明・制御することが鍵である、という点で共通しています。当研究室では、世界最先端のナノ解析技術、特に、電子の反粒子である陽電子を利用した原子空孔やナノクラスターの検出法や、原子1個1個を3次元マッピングできるレーザー3次元アトムプローブ法等を駆使して、格子欠陥や不純物・添加元素クラスター等のナノスケールの“乱れ”を明らかにし、上記の様々な応用研究・開発に貢献しています。